
截至2024年12月,重慶研究院現(xiàn)有創(chuàng)新人才隊(duì)伍近500人,其中各類專業(yè)技術(shù)人才近400人,包括國家級(jí)人才6人、中國科學(xué)院院級(jí)人才127人次、重慶市市級(jí)人才95人次;現(xiàn)有博士研究生導(dǎo)師37名,碩士研究生導(dǎo)師75名。在冊(cè)職工中92%具有研究生學(xué)歷,59%具有博士學(xué)位,45%具有海外留學(xué)或工作經(jīng)歷。人才隊(duì)伍以專業(yè)技術(shù)崗位為主(占88%),其中高級(jí)專業(yè)技術(shù)人員占比53%。
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通知公告
重慶市科學(xué)技術(shù)獎(jiǎng)申報(bào)公示
時(shí)間:2015-07-15編輯:
依據(jù)重慶市科學(xué)技術(shù)委員相關(guān)文件要求,對(duì)2015年度重慶市科學(xué)技術(shù)獎(jiǎng)申報(bào)項(xiàng)目進(jìn)行公示,公示時(shí)間2015年7月15日至2015年7月24日。
項(xiàng)目名稱:大面積單層石墨烯薄膜生長方法與規(guī)?;苽浼夹g(shù)
主要完成單位:中國科學(xué)院重慶綠色智能技術(shù)研究院
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成果簡(jiǎn)介:
石墨烯是全新的二維材料,具有優(yōu)異的物理化學(xué)性質(zhì)和廣闊的應(yīng)用前景。本項(xiàng)目針對(duì)大面積單層石墨烯薄膜制備的技術(shù)難題,在四個(gè)方面開展了系統(tǒng)的研究工作和技術(shù)創(chuàng)新,取得了階段性突破:
1.發(fā)現(xiàn)了化學(xué)氣相沉積過程中CH3?基團(tuán)在限域空間的非平衡態(tài),研究了甲烷裂解的氣相反應(yīng)動(dòng)力學(xué)過程,揭示了活性基團(tuán)的空間分布均勻性對(duì)石墨烯成核與層數(shù)的影響規(guī)律,提出了氣體預(yù)混和分布式多通道進(jìn)氣方法,解決了生長界面活性基團(tuán)的濃度和均勻性控制難題,突破了大面積單層石墨烯薄膜生長的關(guān)鍵技術(shù)。
2.針對(duì)規(guī)?;┍∧ぶ苽洌l(fā)明了雙波段微波等離子體激勵(lì)方法,運(yùn)用CN?增加催化劑界面活性,將石墨烯生長時(shí)間由30分鐘縮短至5分鐘,溫度降低至700℃;研制了分布式多腔室化學(xué)氣相沉積裝備,發(fā)明了限域空間的密集襯底生長技術(shù),解決了石墨烯的大批量制備問題。
3.發(fā)明了光敏匹配層和一步式石墨烯轉(zhuǎn)移技術(shù),設(shè)計(jì)了自適應(yīng)貼合,原位固化和層壓轉(zhuǎn)印的一體化石墨烯轉(zhuǎn)移方法,解決了石墨烯多步轉(zhuǎn)移過程中存在的界面匹配差、工藝復(fù)雜、易破損等技術(shù)瓶頸。研制了片對(duì)卷石墨烯轉(zhuǎn)移裝備,解決了快速均勻貼合和固化等難題,實(shí)現(xiàn)了大面積石墨烯薄膜的快速轉(zhuǎn)移。
4.研制了我國首條年產(chǎn)100萬平方米的單層石墨烯薄膜生產(chǎn)線,開發(fā)了28臺(tái)(套)設(shè)備,開發(fā)了配套工藝,建立了企業(yè)標(biāo)準(zhǔn),并通過了國家質(zhì)量體系認(rèn)證。本項(xiàng)目所量產(chǎn)的石墨烯薄膜產(chǎn)品已成功應(yīng)用于智能終端觸控屏、OLED等行業(yè)。
本材料公示期內(nèi)(7月15日-7月24日),任何單位或個(gè)人對(duì)公示項(xiàng)目的創(chuàng)造性、先進(jìn)性、適用性及推薦材料的真實(shí)性和項(xiàng)目主要完成單位持有異議的,可以書面形式向科技處提出,并提供必要的證明材料。為便于核實(shí)查證,確保實(shí)事求是、客觀公正地處理異議,提出異議的單位或者個(gè)人應(yīng)當(dāng)表明真實(shí)身份,并提供聯(lián)系方式。凡匿名異議和超出期限的異議,不予受理。
特此公示。
聯(lián)系單位:中國科學(xué)院重慶綠色智能技術(shù)研究院科技處
通訊地址:重慶市北碚區(qū)方正大道266號(hào)
聯(lián)系電話:023-65935666
聯(lián) 系 人:孫萌
中國科學(xué)院重慶綠色智能技術(shù)研究院
2015年7月15日
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